拼片=半片+7BB多主栅+大硅片+方单晶+三角焊带+消灭片间隙
       所谓拼片技术是指：在传统组件封装技术基础上，仅通过更换串焊机的方式，实现片间距的大幅缩小和三角焊带的焊接，最终达到比肩叠瓦组件的封装密度。此外拼片技术得益于更高的良率和完全自主的知识产权，当下可量产的拼片组件效率甚至要高于叠瓦组件，基于22.1%量产效率的Perc电池，拼片组件效率可轻松突破20.2%，更重要的是，拼片设备的投资成本仅为叠瓦技术的五分之一，又得益于超高的CTM（大于100%）和超高的良率，生产过程中的可变陈本仅为叠瓦的90%。拼片的出现不仅会堵死叠瓦封装工艺的未来之路，更会使得沿用多年的组件封装技术迎来摧枯拉朽式的革命性变化。 
我们如何评判一个组件封装技术是否优秀？
       研究光伏行业多年，我和别人讨论无数，也看别人相互之间讨论无数，我经常看到讨论的两方为一个问题争论的不可开交，面红耳赤；争论了半天下来最终发现两个人根本就没有在一个彼此都可接受框架内去讨论问题，所以从讨论开始之初就注定无法达成一致，而是变成了为辩护自己的无意义的争吵。正是因为经历过、见证过太多的这样的无意义的争吵，所以我在展开一个问题之初非常注重讨论清楚分析这个问题的框架，这就是我所提倡的：分析问题的结构化思维。我们先从一个彼此都能接受的分析问题的框架出发，再去讨论问题，以数据和事实说话，最终轻易得出有效结论。按照这样的思路出发，复杂问题就会变得简单许多。
       我们今天要讨论的问题是：如何评判一个组件封装技术是否优秀？组件封装技术是否优秀至少有两个维度，一个是组件封装效率、另一个是组件封装成本。我们先来看组件封装效率的问题。举例来说，60张电池片封装前318瓦，封装后的总功率是307瓦，CTM概念的引入主要用于考察封装的损失，是判断组件封装技术优劣的重要参数，一般而言，由于光伏玻璃的透光率仅为92%，EVA胶膜以及焊带部分也都会对光线有遮挡或耗散，CTM值总是＜100%的，我们把小于1的那一部分叫做“封装损失”。例如上面案例中，从电池片到组件的封装功率损失=100%-96.54%=3.46%。这不只是纯粹的说明案例，事实上当前单晶整片Perc组件的封装CTM均是介于96~97%之间的，单晶Perc电池片对紫外线光吸收能力较强，而光伏玻璃又恰好阻挡了这部分光线的入射，所以Perc电池片封装成为组件的过程中封装损失要更高一些，一般至少在3%以上。
       最后影响组件效率的自然就是电池片的效率，但本文要讨论的是组件封装技术，电池片的效率取决于电池片厂商的工艺，而非组件厂商，不是评判组件封装技术优劣的标准。所以在评判组件封装技术优劣时我们忽略这一部分。
       半切工艺无论谁都能用，但常规半切工艺会使得组件面积变大1.5%左右，这主要是由于常规60型组件整片封装上下电池片的间缝隙总共有9个，而半片封装上下电池片的缝隙数量将会翻倍达到18个，半片使得缝隙数量倍增，进而导致组件面积增加，半切带来的收益很大部分被组件面积变大增加的成本而抵消。而拼片技术不一样， 拼片技术最精华的优点就在于消灭上下电池片之间的缝隙。

       其实半片出来已经很久了，主流厂家为之准备的产能也已经十分庞大，但是当前主流市场中，80%以上的产品依然以常规整片为主，为什么会这样呢？一位电站业主朋友一语中的：半片组件功率只提升一档，但是组件面积增加1.5%，组件效率等于没提升，对于终端电站业主基本没效用。

       那么为什么常规组件的封装方式使用半片技术必然会导致组件面积增大1.5%呢？这主要是因为常规组件的焊带有一定厚度，焊带从正面引到背面时需要留有1.6~2mm的间距以释放焊带应力。60型组件整片封装模式中，上下电池片的缝隙总计有9个，而若使用半片技术，缝隙就会倍增到18个，进而使得组件整体面积增大，组件效率未有提升。

       而拼片技术巧妙的使用了双焊带系统，正面使用陷光效果极好的三角焊带，背面使用扁平柔性焊带轻松释放焊带应力。使得上下电池片间距可以缩小到“0”，进而完美解决半片技术带来的缝隙倍增的问题，并完整保留半片带来的功率增益。拼片必然半片、半片必然拼片，拼片与半片珠联璧合、相得益彰。相信随着拼片技术渐成主流，困扰半片技术多年的问题将迎刃而解。
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